인텔은 소프트뱅크와 협력해 2029년까지 HBM 메모리 교체를 계획하고 있다

소프트뱅크와 인텔은 2029년까지 새로운 메모리 Z‑Angle Memory(ZAM)를 시장에 출시할 계획입니다.

실행 책임자: 소프트뱅크는 자회사 Saimemory를 통해 개발 및 판매를 담당하고, 인텔은 제조 및 패키징 기술을 제공합니다. 일본의 후지쯔도 이 프로젝트에 참여합니다.

Z‑Angle Memory가 필요한 이유
* 기존 HBM의 문제점:
- 매우 비싸고 에너지 소모가 큽니다.
- HBM 생산량이 증가하면 전통적인 DRAM은 자원 부족으로 고통받습니다.
* Z‑AM의 목표는 높은 데이터 밀도를 유지하면서 더 경제적이고 에너지 효율적인 대안을 제공하는 것입니다.

기술 사양
| 매개변수 | 설명 |
|---|---|
| 구조 | HBM과 유사한 다층 스택이지만, 보다 진보된 패키징 및 아키텍처를 사용합니다. |
| 밀도 | 스택 단위 용량이 HBM보다 2~3배 높습니다. |
| 에너지 소비 | HBM에 비해 약 절반으로 감소했습니다. |
| 제조 비용 | 현재 가격 수준을 유지하거나 최대 40%까지 낮출 것으로 예상됩니다. |

패키징 기술
* 인텔은 NGDB(Next‑Generation Die Bonding) 기술을 제공하여 ZAM의 에너지 효율성을 HBM보다 향상시킵니다.
* 프로토타입에서는 이미 기본 칩 위에 8개의 DRAM 층이 구현되었습니다.

출시 계획
1. 중간 프로토타입 – 2028년 3월 말까지 시연 예정.
2. 대량 생산 – 발표 이후 12개월 이내, 즉 2029년 중반경 시작 예정.

따라서 소프트뱅크와 인텔은 Z‑Angle Memory의 빠른 확산을 목표로 하여 미래 고성능 시스템에 보다 저렴하고 에너지 효율적인 메모리 옵션을 제공할 계획입니다.