인텔이 18A‑P 기술을 발표했습니다: 더 빠르고 에너지 효율적이며 향상된 냉각 기능을 갖추었습니다

인텔은 18 A 칩 라인을 강화하고 새로운 버전 – 18 A‑P를 준비 중입니다

인텔은 18 A(1.8 nm) 공정으로 제작된 마이크로칩을 대량 생산하고 있습니다. 동시에 이 공정의 개선판인 18 A‑P가 개발 중이며, 가까운 분기에 시장에 출시될 예정입니다.

18 A‑P에서 새롭게 추가된 내용은 무엇인가요?
| 파라미터 | 설명 |
|---|---|
| 트랜지스터 | 새로운 종류의 RibbonFET(주위 게이트형) 두 가지가 도입되었습니다. 이는 핵심 블록의 주파수를 높이면서도 덜 요구되는 영역에서는 전력 소비를 줄여줍니다. |
| 변동성 제어 | 크리스탈 파라미터 분산 관리가 개선되었습니다. ‘빠른’과 ‘느린’ 사이의 편차가 감소했고, 플레이트 중심의 분산이 줄었습니다. |
| 임계 전압 | 4개에서 5개 이상의 옵션으로 확대되어 크리스탈 정렬 정확도가 향상되고 사양을 만족하는 제품 비율이 증가합니다. |
| 열 방출 | 열전도율이 약 50 % 개선되었습니다. 이는 주위 게이트형 트랜지스터의 높은 전력 밀도를 상쇄하고 장시간 가열 시 열 악화를 줄여줍니다. |
| 에너지 효율/성능 | 기본 18 A에 비해 같은 전력으로 9 % 효율을 높이거나, 동일 성능과 복잡성을 유지하면서 소비 전력을 18 %까지 절감할 수 있습니다. |

실제 적용 예시
- 기하학적 파라미터 보존: 게이트 스텝(50 nm) 및 셀 높이(180 nm / 160 nm)는 동일하게 유지되어 기존 18 A 디자인을 큰 변경 없이 18 A‑P로 이전할 수 있습니다. 그러나 최대 효율을 위해서는 여전히 추가적인 아키텍처 최적화가 필요합니다.
- 금속 라인 최적화: 금속 저항과 정전 용량이 조정되어 신호 속도, 전력 소비 및 지연에 영향을 미칩니다(구체 수치는 아직 공개되지 않음).
- 신뢰성 향상: 논리와 SRAM의 최소 동작 전압(Vmin)이 보다 안정적으로 유지되어 낮은 전류에서도 성능이 향상됩니다.

왜 중요한가
1. 소비자 기기 – 성능 상승과 열 방출 감소는 스마트폰, 노트북 및 기타 휴대용 장치에 매력적인 칩을 만듭니다.
2. 서버와 데이터 센터 – 개선된 열 방출과 높은 전압에 대한 내성은 장시간 부하 하에서의 신뢰성을 높입니다.
3. 경제적 효과 – 한 플레이트에서 고품질 실리콘 비율이 증가하면 양산량이 늘어나 칩 단가를 낮춥니다.

결론
인텔은 18 A 공정을 지속적으로 발전시키면서 동시에 더 진보된 18 A‑P 버전을 준비하고 있습니다. 새로운 RibbonFET 트랜지스터, 강화된 품질 관리 및 향상된 열 특성은 효율성과 신뢰성을 크게 높여 소비자 시장과 전문 시장 모두에서 매력적인 기술이 될 것입니다